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商品参数:

  • 型号:XP4311
  • 厂家:Panasonic
  • 批号:05+1rnopb 03+06NOPB5RM+2800
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:7X
  • 封装:SOT-363/SC-88
  • 技术文档:下载

Q1 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)  50V
Q1集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)  50V
Q1集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)  100MA/0.1A
Q2 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)  -50V
Q2集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)  -50V
Q2集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)  -0.1A/100MA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)  10KΩ
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)  10 KΩ
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio  1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)  10 KΩ
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)   10KΩ
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio  1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) Q1/Q2  35 / 35
截止频率fT Transtion Frequency(fT) Q1/Q2  150MHZ / 80MHZ
耗散功率Pc Power Dissipation  150MW/0.15W
Description & Applications
Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr2)
Two elements incorporated into one package.
(Transistors with built-in resistor)
 
 UN1211+UN1111
描述与应用
 硅NPN型外延刨床晶体管(Tr1)
  硅PNP型外延刨床晶体管(Tr2)
  两个元素纳入一个包。
  (晶体管内置电阻)
UN1211+UN1111
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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XP4311
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