集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
TR1/TR2=-50V / -50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
TR1/TR2=-50V / -50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
TR1/TR2= -100MA / -100MA |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) |
TR1/TR2= 4.7KΩ / 2.2KΩ |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) |
TR1/TR2=10KΩ / 10KΩ |
基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2)
Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
TR1/TR2= 0.47 / 0.22 |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
TR1/TR2=30 / 30 |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
TR1/TR2=80MHZ / 80MHZ |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
150MW |
描述与应用
Description & Applications |
硅PNP型外延刨床晶体管
开关/数字电路
■特性
●两个元素纳入一个包。
(晶体管内置电阻)
●减少一半的安装面积和组装成本。
■元素的基本零件号码
●UN111F + UN111H
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