| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
11V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
3.2GHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
56~180 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
<500mV/0.5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
High-Frequency Amplifier Transistor Features 1) High transition frequency. (Typ. fT= 1.5GHz) 2) Small rbbí⋅Cc and high gain. (Typ. 4ps) 3) Small NF. |
| 描述与应用 |
高频晶体管放大器 特点 1）高转换频率。 （典型值英尺=1.5GHz的） 2）小rbbí⋅CC和高增益。 （典型值4PS） 3）小NF。 |