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  • 型号：2N7002T-7-F
  • 厂家：DIODES
  • 批号：06NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：72
  • 封装：SOT-523
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current115mA/0.115A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance2Ω/Ohm @50mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Lead Free/RoHS Compliant Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
描述与应用N沟道增强型场效应晶体管 特性 N沟道增强型场效应 晶体管 低导通电阻 低栅极阈值电压 低输入电容 开关速度快 低输入/输出漏 超小型表面贴装封装 无铅/ RoHS标准 符合AEC-Q101高可靠性标准
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2N7002T-7-F
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