| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
15V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
340mA/0.34A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
2.8Ω/Ohm @500mA,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
1-2V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation |
830mW/0.83W |
| Description & Applications |
TrenchMOS™ logic level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology Features TrenchMOS™ logic level FET Logic level compatible Very fast switching Subminiature surface mount package Gate-source ESD protection diodes |
| 描述与应用 |
renchMOS™逻辑电平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™技术 特性 TrenchMOS™逻辑电平FET 逻辑电平兼容 开关速度非常快 超小型表面贴装封装 栅源ESD保护二极管 |