集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-100MA/-0.1A |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) |
10KΩ |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) |
10KΩ |
基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2)
Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
1 |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50 |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHZ |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.15W |
描述与应用
Description & Applications |
复合晶体管和电阻
切换应用程序
硅外延式
RT3P11M是一个复合晶体管内置两个
RT1P141 sc - 88包。
反向电路、开关电路、
接口电路,驱动电路
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