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商品参数:

  • 型号:2SB1462J-S
  • 厂家:Panasonic
  • 批号:05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:AS
  • 封装:SOT-523
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−50V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)−100mA/-0.1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 80MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)180~390
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage−500mV/-0.5V
耗散功率PcPoWer Dissipation125mW/0.125W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor For general amplification Complementary to 2SD2216J Features 1)High foward current transfer ratio hFE. 2)Mini Power type package
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 对于一般的放大 补充型2SD2216J 特点 1)高FOWARD的电流传输比HFE。 2)小功率型封装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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