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  • 型号：2SK2802ZV
  • 厂家：HITACHI
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：ZV
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.2Ω/Ohm @100mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching Low on-resistance RDS(on)= 0. 2Ω typ (VGS= 4 V, ID = 100 mA) 2.5V gate drive devices. Small package (MPAK)
描述与应用硅N沟道MOS FET 低频电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 低频电源开关 低导通电阻 RDS（ON）= 0。 2Ω典型值（VGS=4 V，ID= 100毫安） 2.5V栅极驱动设备。 小型封装（MPAK）
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK2802ZV
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