| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 10V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 2.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.09Ω/Ohm @1.5A,4V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.5-1.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 1W |
| Description & Applications | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Low on-resistance RDS(on)= 0.09Ω typ. (VGS= 4 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5V gate drive devices |
| 描述与应用 | 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 低导通电阻 RDS（ON）=0.09Ω典型。 （VGS=4 V，ID= 1.5 A） 低驱动电流 高速开关 2.5V栅极驱动装置 |