| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 200mA/0.2A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 300MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 300 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV/0.2V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 1.05W |
| Description & Applications | NPN switching transistor FEATURES • Low current (max. 200 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • High-speed saturated switching. DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT223 plastic package. |
| 描述与应用 | NPN开关晶体管 特点 •低电流（最大200毫安） •低电压（最大40 V）。 应用 •高速开关饱和。 说明 NPN开关晶体管在SOT223塑料包装。 |