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  • 型号：RSS065N06FW6TB1
  • 厂家：ROHM
  • 批号：05+
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：RSS065N06
  • 封装：sop8
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current6.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance48mΩ@ VGS =4V, ID =6.5A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1~2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation2W
Description & Applications4V Drive Nch MOS FET Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package . Applications Switching
描述与应用4V驱动N沟道MOS FET 特点 1）低导通电阻。 2）内置G-S的保护二极管。 3）小型表面贴装封装。 应用 开关
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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