| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 100V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 500 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 40mV~200mV |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 2W |
| Description & Applications | 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor General description： NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/ TO-243) SMD plastic package. PNP complement: PBSS9110X. Features： SOT89 package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability: IC and ICM High efficiency leading to less heat generation Applications： Major application segments: Automotive 42 V power Telecom infrastructure Industrial： Peripheral driver: Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs) Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors) DC-to-DC converter |
| 描述与应用 | 100 V，1 A NPN低VCEsat（BISS）晶体管 一般描述： NPN低VCEsat 突破小信号（BISS）晶体管为SOT89（SC-62/ TO-243）SMD塑料包装。 PNP补充：PBSS9110X。 特点： SOT89封装 低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 高集电极电流能力：IC和ICM 导致更少的热量发电的高效率 应用范围： 主要应用领域： 汽车42 V电源 电信基础设施 工业： 外设驱动程序： 驱动器在低电源电压应用（如灯和LED） 感性负载（如继电器，蜂鸣器和电机驱动） DC-to-DC转换 |