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  • 型号：3HN04MH
  • 厂家：SANYO
  • 批号：06NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：LZ
  • 封装：SOT-323/SC-70
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.66Ω/Ohm @150mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.2-2.6V
耗散功率Pd Power Dissipation600mW/0.6W
Description & ApplicationsN-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features Silicon N-Channel MOS FET General-Purpose Switching Device Applications 4V drive
描述与应用N-沟道硅MOSFET 通用开关设备应用 特性 硅N沟道MOS FET 通用开关设备应用 4V驱动
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
3HN04MH
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