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  • 型号：SI2302CDS-T1-GE3
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：09NOPB 09NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：N2
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current2.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.115Ω/Ohm @3.1A,2.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.65-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation900mW/0.9W
Description & ApplicationsN-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
描述与应用N沟道1.25-W， 2.5 V MOSFET
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI2302CDS-T1-GE3
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