集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100MA |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) |
4.7KΩ |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) |
47KΩ |
基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2)
Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
0.1 |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
80~400 |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHZ |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
125MW |
描述与应用
Description & Applications |
* NPN型硅外延平面类型
*为切换
*为数字电路
*两个元素纳入一个包(晶体管内置电阻)
*边地安装面积和装配成本的一半
* UNR221N×2
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