| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 150MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 900 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV~500mV |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 450mW/0.45W |
| Description & Applications | 40 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High current capabilities. • Improved device reliability due to reduced heat generation. APPLICATIONS • General purpose switching and muting • LCD backlighting • Supply line switching circuits • Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices). DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package. |
| 描述与应用 | 40 V，1 A NPN低VCEsat（BISS）晶体管 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压 •高电流的能力。 •提高设备的可靠性，由于减少热 的一代。 应用 •通用开关和静音 •LCD背光 •供电线路开关电路 •电池驱动设备（移动电话，视频 相机和手持设备）。 说明 NPN低VCEsat 晶体管在SOT23塑料包装。 |