2SK3272-01S-TE24R N沟道MOSFET 60V 8A TO-263 marking/标记 SK3272 低导通电阻/高速度开关/无二次击穿/低驱动功率|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SK3272-01S-TE24R N沟道MOSFET 60V 8A TO-263 marking/标记 SK3272 低导通电阻/高速度开关/无二次击穿/低驱动功率

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型号：2SK3272-01S-TE24R
厂家：FUJI
批号：04+
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：SK3272
封装：TO-263
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	30V/-20V
最大漏极电流Id Drain Current	8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.005Ω/Ohm @40A,40V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	2.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	135W
Description & Applications	Trench Gate MOSFET Motor Control General Purpose Power Amplifier DC-DC converters Features Trench Gate MOSFET High Current Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power Avalanche Rated
描述与应用	沟槽栅MOSFET 电机控制通用功率放大器 DC-DC转换器特性沟槽栅MOSFET 高电流低导通电阻无二次击穿低驱动功率雪崩额定

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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