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  • 型号：SI2314EDS
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：09+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：c4Z6A
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current4.9A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.033Ω/Ohm @5A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.45V
耗散功率Pd Power Dissipation1.25W
Description & ApplicationsN-Channel 20-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET ESD Protected: 3000 V
描述与应用N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 功率MOSFET ESD保护：3000 V
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI2314EDS
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