SI2314EDS N沟道MOSFET 20V 4.9A SOT-23/SC-59 marking/标记 C4z6a 低导通电阻。|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

SI2314EDS N沟道MOSFET 20V 4.9A SOT-23/SC-59 marking/标记 C4z6a 低导通电阻。

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型号：SI2314EDS
厂家：VISHAY
批号：09+ROHS
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：c4Z6A
封装：SOT-23/SC-59
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	12V
最大漏极电流Id Drain Current	4.9A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.033Ω/Ohm @5A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.45V
耗散功率Pd Power Dissipation	1.25W
Description & Applications	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET ESD Protected: 3000 V
描述与应用	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 功率MOSFET ESD保护：3000 V

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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