集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
45V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100MA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~630 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.65V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.25W |
描述与应用
Description & Applications |
NPN型硅房颤晶体管阵列
对于房颤输入阶段和驱动程序的应用程序
高电流增益
低饱和电压
两个(电)内部孤立的晶体管
在一个包有良好的匹配
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