| 场效应管类型 |
N沟道 |
MOS最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
MOS最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
MOS最大漏极电流Id
Drain Current |
1.5A |
MOS源漏极导通电阻Rds(on)
FET Drain-Source On-State Resistance |
ID=1A, VGS=4V RDS=160mΩ~210mΩ
ID=0.5A, VGS=2.5V RDS=200mΩ~280mΩ
ID=0.1A, VGS=1.8V RDS=280mΩ~390mΩ
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MOS开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
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| 二极管类型 |
Schottky Barrier Diode |
DIODE反向电压Vr
Reverse Voltage |
15V |
DIODE平均整流电流Io
Average Rectified Current |
1A |
DIODE最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.4V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
0.8W |
描述与应用
Description & Applications |
直流/直流转换器的应用程序
(MOSFET)
低导通电阻。
超高速切换。
1.8 v驱动。
(肖特基二极管)
反向恢复时间短。
低正向电压。
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