集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150MA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
60MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~400 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.1V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.1W |
描述与应用
Description & Applications |
特点 •东芝晶体管的硅NPN外延型（PCT工艺） •小型封装（双类型） •高电压和高电流：VCEO= 50V，IC=150mA（最小值） •高HFE：HFE=120〜400 •优秀的HFE线性：HFE（IC=0.1毫安）/（IC =2毫安）= 0.95（典型值） •音频通用放大器应用 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读 |