请先登录
首页
购物车0
库存588000件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数:

  • 型号:SSM6P15FE
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:11+ROHS 11+ROHS
  • 整包数量:4000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:DQ
  • 封装:SOT-563/ES6
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-100mA/-0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance12Ω@ VGS = -4V, ID = -10mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1.1~-1.7V
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type ●High Speed Switching Applications ●Analog Switch Applications ● Small package ● Low ON resistance : Ron = 12 Ω (max) (@VGS = −4 V) : Ron = 32 Ω (max) (@VGS = −2.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 ●高速开关应用 ●模拟开关应用 ●小型封装 ●低导通电阻RON =12Ω(最大)(@ VGS=-4 V)    RON=32Ω(最大)(@ VGS=-2.5 V)
规格书PDF 下载

×

在线询价:

* 来自:
寄予:
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
SSM6P15FE
*主题:
详细内容:
*验证码: