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商品参数:

  • 型号:HN4A08J
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:12+ROHS
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:36
  • 封装:SOT-153/SMV
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
 -30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
 -25V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)
 -0.8A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
 120MHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
 100~320
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
 -0.4V
耗散功率Pc
Power Dissipation
 0.3W
描述与应用
Description & Applications
 特点•东芝晶体管的硅PNP外延型(PCT工艺)•高DC电流增益:HFE=100〜320•低饱和电压VCE(星期六)=-0.4V(最高):(IC=500mA,可IB=-20mA的)•低频功率放大器应用•电源开关应用
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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HN4A08J
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