集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-30V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-25V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-0.8A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
120MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~320 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-0.4V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.3W |
描述与应用
Description & Applications |
特点•东芝晶体管的硅PNP外延型（PCT工艺）•高DC电流增益：HFE=100〜320•低饱和电压VCE（星期六）=-0.4V（最高）：（IC=500mA，可IB=-20mA的）•低频功率放大器应用•电源开关应用 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读 |