| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
100~400 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.18V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
1.0~2.5W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type. High-Speed Switching Applications. DC-DC Converter Applications. LCD Backlighting Applications. *High DC current gain: hFE = 250 to 400 (IC= 0.3 A). * Low collector-emitter saturation: VCE(sat) = 0.18 V (max). * High-speed switching: tf = 40 ns (typ.). |
| 描述与应用 |
东芝晶体管NPN硅外延型。 高速开关应用。 DC-DC转换器应用。 LCD背光应用。 *高直流电流增益：HFE=250〜400（IC= 0.3 A）。 *低集电极 - 发射极饱和：VCE（星期六）= 0.18 V（最大值）。 *高速开关：TF=40 ns（典型值）。 |