| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
150mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
80MHZ |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
200~400 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.1~0.25 |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
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| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). *Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications * High voltage and high current: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max). * Excellent hFE linearity: hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.). * High hFE: hFE = 70~700. *Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max). * Complementary to 2SA1586. * Small package. |
| 描述与应用 |
TOSHIBA晶体管的硅NPN外延式（PCT程序）。 *音频通用放大器应用 *高电压和高电流：VCEO=50 V，IC=150 mA（最大）。 *优秀HFE线性：HFE（IC= 0.1毫安）/ HFE（IC= 2毫安）=0.95（典型值）。 *高：HFE HFE=70〜700。 *低噪音：NF=1分贝（典型）10分贝的的（最大）。 *互补2SA1586。 *小型封装。 |