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  • 型号：SI1917EDH
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：07+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：DBW
  • 封装：SOT-363
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		  -12V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		  ±12V
最大漏极电流Id
Drain Current		  -1.15A
源漏极导通电阻Rds(on)
FET Drain-Source On-State Resistance		  VGS = –1.8 V, ID = –0.2 A RDS=0.066~0.8Ω
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		  -0.45v
耗散功率Pd
Power Dissipation		  0.73W
描述与应用
Description & Applications		  　双p沟道12 v(d - s)MOSFET
　　TrenchFET功率场效应管:1.8 - v级
　　ESD保护:3000 V
　　负荷开关
　　PA开关
　　电平开关
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI1917EDH
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