| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
180V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
120V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
60~300 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.14V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
1.1V |
| Description & Applications |
* TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type. * High-Speed, High-Voltage Switching Applications * DC-DC Converter Applications * High DC current gain: hFE = 120 to 300 (IC = 0.1 A) * Low collector-emitter saturation: VCE (sat) = 0.14 V (max) * High-speed switching: t f = 0.2 μs (typ) |
| 描述与应用 |
*东芝晶体管NPN硅外延型。 *高速，高电压开关应用 * DC-DC转换器应用 *高直流电流增益：HFE=120??300（IC= 0.1 A） *低集电极 - 发射极饱和：VCE（sat）= 0.14 V（最大值） *高速开关：T F=0.2微秒（典型值） |