| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
-80v |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
-80V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
-3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
100MHZ |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
60~200 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage |
-0.3V~-0.5V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation |
10W |
| Description & Applications |
Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type. * Power Amplifiers * Power Switching (1) Low collector saturation voltage: VCE(sat)= -0.5 V (max) (IC = -1 A, IB = -100 mA) (2) High-speed switching: tstg = 300 ns (typ.) |
| 描述与应用 |
双极晶体管PNP硅外延型。 *功率放大器 *电源开关 （1）低集电极饱和电压VCE（sat）=-0.5 V（最大值）（IC= -1 A，IB=-100毫安） （2）高速开关：TSTG=300纳秒（典型值） |