| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
-60v |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
-60V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
-3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
9MHZ |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
100~250 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage |
-1.7V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation |
30W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Diffused Type (PCT process). * Audio Frequency Power Amplifier Application * Low collector saturation voltage : VCE (sat)= ??0.5 V (max) * High power dissipation : PC = 30 W (Tc = 25°C) |
| 描述与应用 |
东芝晶体管的硅PNP的扩散类型（PCT程序）。 *音频功放应用 *低集电极饱和电压VCE（sat）=-0.5 V（最大值） *高功耗PC =30 W（TC= 25°C） |