| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
900V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
800V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
10 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
1.0V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
1.5W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process). High Voltage Switching Applications. Switching Regulator Applications. DC-DC Converter Applications. * Excellent switching times: tf = 0.5 μs (max) (IC = 1.2 A). * High collectors breakdown voltage: VCEO = 800 V. * High DC current gain: hFE = 15 (min) (IC = 0.15 A). |
| 描述与应用 |
TOSHIBA晶体管的硅NPN三重扩散类型（PCT程序）。 高电压开关应用。 开关稳压器应用。 DC-DC转换器应用。 *出色的开关时间：TF=0.5μs（最大）（IC=1.2 A）。 *收藏家高击穿电压：VCEO=800V。 *高直流电流增益：HFE= 15（min）（IC= 0.15）。 |