| 反向电压VrReverse Voltage |
80v |
| 平均整流电流IoAverage Rectified Current |
100mA/0.1A |
| 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) |
1.2V |
| 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time |
4.0NS |
| 最大耗散功率PdPower Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type. Ultra-High-Speed Switching Applications. Small package. Excellent in forward current and forward voltage characteristics : VF (3) = 0.9 V (typ.). Fast reverse recovery time : trr = 1.6 ns (typ.). Small total capacitance : CT = 0.9 pF (typ.). |
| 描述与应用 |
东芝二极管硅外延平面型。 超高速开关应用。 小包装。 优异的正向电流和正向电压 特点：VF（3）=0.9 V（典型值）。 快速反向恢复时间：TRR =1.6纳秒（典型值）。 小总电容：CT=0.9 pF的（典型值）。 |