| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
160V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
80V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
150MHZ |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
100~450 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.3~0.5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
10W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process). Power Amplifier Applications. Power Switching Applications. Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)（IC = 1A）. High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ). |
| 描述与应用 |
TOSHIBA晶体管的硅NPN外延型（PCT工艺）。 功率放大器应用。 电源开关应用。 低集电极饱和电压VCE（星期六）=0.5 V（最大值）（IC=1A）。 高速开关：TSTG=0.4微秒（典型值）。 |