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各类电子元器件选型原则
2018/1/30 14:18:01

  一、电感选型  电感选型时考虑的因素如下: 1、体积大小;  2、电感值所在工作频率;  3、开关频率下的电感值为实际需要的电感值; 4、线圈的直流阻抗(DCR)越小越好;  5、工作电流应降额至额定饱和电流的0.7倍以下,额定rms电流; 6、交流阻抗(ESR)越小越好; 7、Q因子越大越好;  8、屏蔽类型:屏蔽式或非屏蔽式,优先选择屏蔽式; 9、工作频率和绕组电压不可降额。

 二、二极管选型  二极管参数需降额使用,具体参考《GJB/Z 35元器件降额准则》 发光二极管:  1、发光二极管优选直径为5mm的插脚型号.贴片发光二极管优选选用有焊接框架的型号,ESD/MSL等级遵循上述的标准;   2、发光二极管优选有边、短脚的;为了保持公司产品的一致性,红发红、绿发绿等型号优选,白发红、白发绿等型号慎选;如果没有特殊要求,尽量不要使用长脚、无边的;     3、发光二极管优选品牌为“亿光”。 快恢复二极管:  1、低电压(耐压值200V以下)下,高时间特性时选肖特基二极管;  2、肖特基管热阻和电流都较大,优选分立式封装。通常3A以下可以选择SOD-123或D-64封装;3~8A可以选择D2-PAK封装;8A以上DO-201、TO-220、TO-3P; 3、在高电压时选择PIN结构快恢复二极管。 整流二极管:  1、主要考虑最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数;  2、开关电源整流、脉冲整流用整流二极管,宜选工作频率较高、反向恢复时间较短、或选快恢复二极管;  3、低电压、大电流时整流,选肖特基二极管; 4、 同电流等级优先选择反压最高的型号.如1A以下选用1N4007(M7),3A的选用IN5408。 肖特基二极管:  同电流档次的保留反压最高的等级,如:1N5819保留,1N5817禁选, SS14保留,SS12禁选;B340A保留。 稳压二极管:  1、稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同;  2、最大稳定电流高于应用电路的最大负载电流50%左右;  3、稳压管在选型时务必注意器件功率的降额处理。实际功率应小于0.5×P; 4、功率在0.5W以下的型号选择贴片式封装,0.5W及以上选择直插式封装。 瞬态抑制二极管:  1、Vrmax(最大反向工作电压)≥正常工作电压;  2、Vcmax(最大钳位电压)≤最大允许安全电压。常规CMOS电路电源电压为3~18V,击穿电压为22V,则应选Vcmax为18~22V的TVS管;3、Pp(瞬态脉冲功率的最大值)=最大峰值脉冲电流Ipmax与Vcmax。Pp大于被保护器件或线路的最大瞬态; 4、浪涌功率。

 三、三极管选型  1、三极管选型时,以下几个参数必须考虑:  ICM集电极最大允许电流 < 实际集电极电流,降额70%使用;  BVCEO,基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压 > 电源电压 * 70%,有感电路降额使用,并加保护电路;  PCM,集电极最大允许耗散功率,降额70%使用; Ft,特征频率 > 3倍实际工作频率;  2、小功率的三极管选用901X系列的9012,9013,9014以及8550,8050等;  3、开关用三极管可用NMOS管代替的,尽量用NMOS管代替,可用NMOS有:2N2002,IRF120N,IRF540N等。 

四、晶体与晶振选型:  1、优选表贴封装晶体或晶振;  2、优选金属壳封装,电磁屏蔽特性好;  3、要求频率稳定度(温度稳定度)<15ppm时,优选温补晶振(TCXO); 4、晶体物料通用技术要求:AT切(基频),12.5pF负载电容,温度范围-20~+70℃(工业温度等级),制造频偏30ppm,温漂50ppm/℃,无铅产品;  5、负载电容:对于内置振荡器的处理器,注意振荡器对晶体负载电容的要求,如STM32的RTC晶体,为6pf负载电容,不满足可能造成振荡器不起振或者频率偏差过大; 6、晶体和晶振品牌优选HOSONIC和EPSON;

 

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