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2SK3376TT-B N沟道结型场效应管 20v 0.17~0.3mA SOT-523 marking/标记 3B

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage 20v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current 0.17~0.3ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.15~-1v
耗散功率PdPower Dissipation 100mW/0.1W
Description & Applications •Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type
描述与应用 •场效应晶体管的硅N沟道结型
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