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2SA2154CT PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 80MHz 120~240 -300mV/-0.3V CST3 marking/标记 8F 通用放大器

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−50V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)−100mA/-0.1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 80MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)120~240
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage-300mV/-0.3V
耗散功率PcPoWer Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsTOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) General Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current : VCEO = −50V, IC = −100mA (max) • Excellent hFE linearity : hFE (IC = −0.1 mA) / hFE (IC = −2 mA)= 0.95 (typ.) • High hFE : hFE = 120 to 400 • Complementary to 2SC6026CT
描述与应用东芝晶体管的硅PNP外延式(PCT的进程) 通用放大器应用 •高电压和高电流:VCEO=-50V,IC=电流100mA(最大值) •优秀的HFE线性   HFE(IC= -0.1毫安)/ HFE(IC=-2毫安)= 0.95(典型值) •高HFE:HFE=120〜400 •2SC6026CT互补
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