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L2SA812RL PNP三极管 -60V -150mA/-0.15A 180MHz 180~390 -300mV/-0.3V SOT-23/SC-59 marking/标记 M6 高电压

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−50V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)−150mA/-0.15A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)180MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)180~390
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage-300mV/-0.3V
耗散功率PcPoWer Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsPNP epitaxial planar transistor General Purpose Transistors FEATURES High Voltage NPN complement: L2SC1623 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements
描述与应用PNP外延平面晶体管 通用晶体管 特点 高电压 NPN补充:L2SC1623  我们声明,对产品材料遵守RoHS要求
规格书PDF
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