2SB1386 PNP三极管 -30V -5A 120MHz 120~270 -1000mV/-1V SOT-89/MPT marking/标记 BHQ
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −20V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 120MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 120~270 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -1000mV/-1V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | PNP Silicon epitaxial planar transistor Low Frequency Transistor Feature 1) Low VCE(sat). 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 |
| 描述与应用 | PNP硅外延平面晶体管 低频晶体管 特点 1）低VCE（sat）的。 2）优秀DC电流增益特性。 3）补充2SD2098 |
| 规格书PDF |
