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2SC5008 NPN三极管 20V 35mA 8Ghz 80~160 3V SOT-523 marking/标记 44

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)10V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)35mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)8Ghz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)80~160
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage3V
耗散功率PcPower Dissipation125mW/0.125W
Description & ApplicationsFeatures • SILICON TRANSISTOR • NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD • Low Voltage Use. • High fT :8.0 GHz TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz) • Low Cre : 0.3 pF TYP. (@ VCE = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz) • Low NF : 1.9 dB TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz) • High |S21e|2: 7.5 dB TYP. (@ VCE = 3 V, IC =5 mA, f = 2 GHz) • Ultra Super Mini Mold Package.
描述与应用特点 •硅晶体管 •NPN硅外延型晶体管3针超超迷你模具•低电压使用。 •高FT:8.0 GHz的TYP。 (@ VCE= 3 V,IC=5 mA时,F= 2千兆赫) •低CRE:0.3 PF TYP。 (@ VCE=3 V,IE= 0时,F =1兆赫) •低噪声系数:1.9 dB典型值。 (IC= 3毫安,@ VCE= 5 V,F =2吉赫) •高| S21E|2:TYP7.5分贝。 (@ VCE= 3 V,IC=5 mA时,F= 2千兆赫) •超超级迷你模具包装。
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