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2SC5191 NPN三极管 9V 100mA/0.1A 4.5Ghz 80~160 SOT-23/SC-59 marking/标记 T88 低噪声微波放大

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)9V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)6V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)100mA/0.1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)4.5Ghz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)80~160
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsMICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB . @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB . @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • Large Absolute Maximum Collector Current IC = 100 mA • Mini Mold Package
描述与应用微波低噪声放大器 NPN硅外延晶体管 特点 •低电压操作,低相位失真 •低噪声 NF=1.5分贝。 @ VCE= 3 V,IC =7毫安,F =2吉赫 NF=1.7分贝。 @ VCE= 1 V,IC =3毫安,F =2吉赫 •大绝对最大集电极电流 IC= 100 mA时 •迷你模具包装
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