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2SC5408 NPN三极管 5V 10mA 17GHz 70~140 SOT-363/SC70-6 marking/标记 T1E 微波高增益放大

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)5V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)3V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)10mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)17GHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)70~140
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation30mW
Description & ApplicationsNPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION FEATURE • High fT 17 GHz TYP. • High gain |S21e|*2= 15.5 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC =7mA • NF = 1.1 dB, @f = 2 GHz VCE = 2 V, IC=1mA • 6-pin Small Mini Mold Package
描述与应用NPN外延硅晶体管 微波高增益放大 特写 •高FT 17 GHz的TYP。 •高增益 | S21E|* 2 =15.5 dB典型值。 @ F =2 GHz时,VCE= 2 V,IC=7毫安 •NF= 1.1 dB时,F =2 GHz的VCE= 2 V,IC=1MA •6针小型微型模具包装
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