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2SC5761 NPN三极管 8V 35mA 200~400 SOT-343 marking/标记 T16 低噪声高增益放大

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)8V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)2.3V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)35mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)200~400
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation80mW
Description & ApplicationsNPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR LOW NOISE ⋅ HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04) Document No. PU10212EJ02V0DS (2nd edition) Date Published May 2003 CP(K) Printed in Japan The mark ! shows major revised points.  NEC Compound Semiconductor Devices 2001, 2003 FEATURES • Ideal for low noise ⋅ high-gain amplification NF = 0.9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • Maximum stable power gain: MSG = 20.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz • SiGe technology (fT = 60 GHz, fmax = 60 GHz) • Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package
描述与应用NPN硅锗射频晶体管 低噪声⋅高增益放大 扁平引线超薄型4引脚超级迷你(M04) 号文件PU10212EJ02V0DS的(第2版) 发布日期2003年5月CP(K) 在日本印刷 大关!表示主要修改点。 NEC化合物半导体器件2001年,2003年 特点 •适用于低噪音⋅高增益放大 NF= 0.9 dB。 @ VCE= 2 V,IC =5毫安,F =2吉赫 •最大功率增益稳定:味精=20.0 dB。 @ VCE= 2 V,IC=20 mA时,F =2吉赫 •SiGe技术(FT =60千兆赫,FMAX =60千兆赫) •4-pin薄型扁平引线型超级迷你(M04)包
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