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2SD1119-q NPN三极管 40V 3A 150MHz 230~380 1V SOT-89/SC-62 marking/标记 TQ 低频功率放大

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)25V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)3A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)150MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)230~380
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage1V
耗散功率PcPower Dissipation1W
Description & ApplicationsSilicon NPN epitaxial planer type low-frequency power amplification Features * Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) * Satisfactory operation performances at high efficiency with the low-voltage power supply. * Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing
描述与应用NPN硅外延平面型  低频功率放大  特点 *低集电极到发射极饱和电压VCE(SAT) *高效率令人满意的操作性能 低电压电源。 *迷你型包装,使瘦身的设备和 通过自动插入磁带包装和杂志 填料
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