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2SD1824-R NPN三极管 100V 50mA 90MHz 400~800 50mV SOT-323/SC-70 marking/标记 IVR 低频放大

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)100V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)100V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)50mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)90MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)400~800
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage50mV
耗散功率PcPower Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon NPN epitaxial planer type *low-frequency amplification Features *High foward current transfer ratio hFE. *Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) *High emitter to base voltage VEBO.
描述与应用NPN硅外延平面型 *低频放大 特点 *高正向电流传输比HFE。 *低集电极到发射极饱和电压VCE(SAT) *高发射器基极电压VEBO。
规格书PDF
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