2SD1980 达林顿 NPN 100V 2A HEF=1000~10000，标记/MARKING D1980
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
100v |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
2A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
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| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
1000~10000 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
1.5v |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
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| 描述与应用 Description & Applications |
功率晶体管。
特性
1)达林顿连接直流电流增益高。
2)内置基地和发射极之间的电阻。
3)内置阻尼二极管。
4)补充2 sb1580 / 2 sb1316 / 2 sb1567。
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