2SD2351 NPN三极管 Vcbo=60V Vceo=50v Ic=150mA/0.15A ft=250MHz HFE=820~1800 Vce=300mV/0.3V SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 BJV
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 150mA/0.15A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 250MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 820~2700 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 300mV/0.3V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | General Purpose Transistor (50V, 0.15A) Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA) |
| 描述与应用 | 通用晶体管（50V，0.15A） 特点 1）高DC电流增益。 2）高发射基地电压。 （VCBO12V） 3）低饱和电压。 （典型值VCE（sat）=0.3V IC / IB=50mA/5mA） |
| 规格书PDF |
