2SD2537 NPN三极管 Vcbo=30V Vceo=25v Ic=1.2A ft=200MHz HFE=820~1800 Vce=300mV/0.3V SOT-89/SC-62/MPT3 marking/标记 DVV
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 25V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 1.2A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 200MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 820~1800 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 300mV/0.3V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 2W |
| Description & Applications | Medium Power Transistor (25V, 1.2A) Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VEBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Max. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=500mA/10mA) |
| 描述与应用 | 中等功率晶体管（25V，1.2A） 特点 1）高DC电流增益。 2）高发射基地电压。 （VEBO12V） 3）低饱和电压。 （最大VCE（sat）=0.3V IC / IB=500mA/10mA） |
| 规格书PDF |
