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2SD2537 NPN三极管 Vcbo=30V Vceo=25v Ic=1.2A ft=200MHz HFE=820~1800 Vce=300mV/0.3V SOT-89/SC-62/MPT3 marking/标记 DVV

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) 30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) 25V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) 1.2A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 200MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) 820~1800
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 300mV/0.3V
耗散功率PcPower Dissipation 2W
Description & Applications Medium Power Transistor (25V, 1.2A) Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VEBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Max. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=500mA/10mA)
描述与应用 中等功率晶体管(25V,1.2A) 特点 1)高DC电流增益。 2)高发射基地电压。 (VEBO12V) 3)低饱和电压。 (最大VCE(sat)=0.3V IC / IB=500mA/10mA)
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