2SJ168 P沟道MOS场效应管 -60V -200mA 1.3ohm SOT-23 marking/标记 KF 高速开关 模拟开关 接口应用
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -200mA/-0.2A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 1.3Ω @-50mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -2--3.5V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE HIGH SPEED SWITHCING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS INTERFACE APPLICATIONS Excellent Switching Time High Forward Transfer Admittance Low On Resistance Enhancement-Mode Complementary to 2SK1062 |
| 描述与应用 | 东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 接口应用 出色的开关时间 高正向转移导纳 低导通电阻 增强型 对管是2SK1062 |
| 规格书PDF |
