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2SJ168 P沟道MOS场效应管 -60V -200mA 1.3ohm SOT-23 marking/标记 KF 高速开关 模拟开关 接口应用

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-200mA/-0.2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance1.3Ω @-50mA,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-2--3.5V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsTOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE HIGH SPEED SWITHCING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS INTERFACE APPLICATIONS Excellent Switching Time High Forward Transfer Admittance Low On Resistance Enhancement-Mode Complementary to 2SK1062
描述与应用东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 接口应用 出色的开关时间 高正向转移导纳 低导通电阻 增强型 对管是2SK1062
规格书PDF
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