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2SJ212 P沟道MOS场效应管 -60V 500mA 0.8ohm SOT-89 marking/标记 PO 高速开关 直接驱动5V电源IC

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-500mA/-0.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.8Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1.0--3.0V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power supply Has low on-state resistance
描述与应用MOS场效应晶体管 P沟道MOS FET用于开关 直接驱动5V电源IC 具有低导通电阻
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