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2SJ327-Z-E1 P沟道MOS场效应管 -60V 4A 0.21ohm SOT-252 marking/标记 J327 高速开关 工业用途

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.21Ω @-1.6A,-4V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1.0--2.0V
耗散功率PdPower Dissipation20W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE low on-state resistance low Ciss built-in G-S gate protecion diode
描述与应用MOS场效应功率晶体管 开关 P沟道功率MOS FET 工业用途 低通-态电阻 Ciss低 内置G-S门的法律保护二极管
规格书PDF
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