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2SJ357-T1 P沟道MOS功率场效应管 -30V 3A 0.12ohm Vth:-1.0--2.0V >89 marking/标记 UA1 高速开关

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-20V
最大漏极电流IdDrain Current-3A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.12Ω @-1.5A,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1.0--2.0V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsFEATURES • New-type compact package Has advantages of packages for small signals and for power transistors, and compensates those disadvantages • Can be directly driven by an IC operating at 5 V. • Low on-resistance RDS(ON) = 0.35 Ω MAX. @VGS = –4 V, ID = –1.5A RDS(ON) = 0.20 Ω MAX. @VGS = –10 V, ID = –1.5 A
描述与应用•新型的紧凑型封装 包小信号和具有优势 功率晶体管,并弥补这些缺点 •可直接驱动IC工作在5 V。 •低导通电阻 RDS(ON)= 0.35Ω最大。 @ VGS=-4 V,ID=-1.5à RDS(ON)= 0.20Ω最大。 @ VGS=-10V,ID=-1.5à
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